Raziskava uporabe organskega polprevodnika za detekcijo sevanja ob reaktorju TRIGA : magistrsko delo /
Delo podaja pregled osnovnih značilnosti scintilacijskih in polprevodniških detektorjev ionizirajočih sevanj, organskih polprevodnikov in schottkyjevega stika med organskim polprevodnikom in kovino, opis metode nanašanja tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov (CIS), ter povzetke publicira...
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
|---|---|
| Drugi avtorji: | |
| Format: | Thesis Knjiga |
| Jezik: | Slovenian |
| Izdano: |
Maribor :
[M. Koželj],
2006.
|
| Serija: | Fakulteta za gradbeništvo. Magistrska dela
|
| Teme: | |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
| LEADER | 04451nam a2200253 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 10439190 | ||
| 003 | SI-MaCOB | ||
| 005 | 20060530000000.0 | ||
| 008 | 060530s2006 xv a ||m |||| ||slv c | ||
| 040 | |a KTFMB |b slv |c SI-MaIIZ |d KTFMB |e ppiak | ||
| 041 | 0 | |a slv |b slv |b eng | |
| 080 | |a 539.16 | ||
| 100 | 1 | |a Koželj, Matjaž, |d 1955- |4 aut | |
| 245 | 0 | 0 | |a Raziskava uporabe organskega polprevodnika za detekcijo sevanja ob reaktorju TRIGA : |b magistrsko delo / |c Matjaž Koželj ; mentor Bruno Cvikl. |
| 246 | 3 | |a Use of organic semiconductors for the detection of ionizing radiation on the TRIGA reactor | |
| 260 | |a Maribor : |b [M. Koželj], |c 2006. | ||
| 300 | |a 121 str. : |b ilustr. ; |c 30 cm. | ||
| 490 | 0 | |a Fakulteta za gradbeništvo. Magistrska dela | |
| 502 | |a Mag. delo, Univ. Maribor, Fakulteta za gradbeništvo, 2006. | ||
| 520 | |a Delo podaja pregled osnovnih značilnosti scintilacijskih in polprevodniških detektorjev ionizirajočih sevanj, organskih polprevodnikov in schottkyjevega stika med organskim polprevodnikom in kovino, opis metode nanašanja tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov (CIS), ter povzetke publiciranih del, ki so nastala kot rezultat dela na Odseku za reaktorsko fiziko Instituta "Jožef Stefan". Namen dela je bil raziskati možnost izdelave in značilnosti detektorjev ionizirajočih sevanj izdelanih na osnovi organskih polprevodnikov, ter preizkusiti te detektorje pri meritvah sevalnih polj reaktorja TRIGA Mk II Pokazalo se je, da trenutno poznavanje in razumevanje delovanja struktur, zgrajenih z uporabo organskih polprevodnikov, ne zadošča za dejansko uporabo pri detekciji sevanj in zato smo delo usmerili v raziskave stikov organskih polprevodnikov, predvsem v študijo schottkyjevega stika polprevodnika s kovino in njegovo karakterizacijo.Posledica opravljenih in v delu opisanih raziskav je, da je sedaj naše poznavanje osnovnih lastnosti organskih polprevodnikov in analitične obravnave različnih stikov organskih polprevodnikov bistveno bolj popolno in primerno za praktične raziskave in razvoj detektorjev ionizirajočih sevanj. Praktične izkušnje pri izdelavi in poznavanje električnih lastnosti različnih struktur nam sedaj omogočajo nadaljevanje raziskav v smeri uporabe organskih polprevodnikov za detekcijo ionizirajočih sevanj na reaktorju TRIGA Mk Il. Med možnimi uporabami se ta hip zdi najbolj obetavna uporaba schottkyjevih stikov kot pasivnih detektorjev žarkov gama in termičnih nevtronov, ker bi najbolj učinkovito izrabili pridobljene izkušnje in poznavanje lastnosti schottkyjevega stika. | ||
| 520 | |a This thesis presents a short review of scintillation and semiconductor detectors for the detection of ionizing radiation. It also presents an overview of the basic properties of organic semiconductors and Schottky junction created by intimate contact of metal and la 10 in organic semiconductor. Furthermore, it also contains an overview of the Ionized Cluster Beam (ICB) thin film de position method and a review of the published papers prepared as a result of work done at the Reactor Physics Department of the Jožef Stefan Institute. The goal was to explore the possibility of building ionizing radiation detectors the based on organic semiconductors, and also to test them at the TRIGA Mk II experimental reactor. Unfortunately, we were forced to admit that our present knowledge and understanding of the Schottky junction on organic semiconductor is not sufficient for that purpose. Therefore, we focused on the study and characterization of different organic semiconductor junctions, primarily on the study of the Schottky junction. The results of the presented research confirm that our knowledge of the basic properties of organic semiconductors, as well as acquired analytical tools, is now much more appropriate for the research and development of radiation detectors. The newly acquired practical experience enables us to start practical research with organic semiconductor detectors at the TR1GA reactor. At the moment, the most promising is the possibility to use organic semiconductor detectors as passive detectors for gamma radiation and thermal neutrons. It seems that this would be the most effective use of the acquired knowledge. | ||
| 653 | 0 | |a organski polprevodniki |a detekcija ionizirajočih sevanj |a schottkyjev stik | |
| 653 | 0 | |a organic semiconductors |a detection of ionizing radiation |a Schottky junction | |
| 700 | 1 | |a Cvikl, Bruno. |4 ths | |