Slika na naslovnici

Comparative study of I-IV characteristics of the ICB deposited Ag/n-Si(111) and Ag/p-Si(100) Schottky junctions /

The room temperature I-U characteristics of the ionized cluster beam, ICB, deposited Ag/n-Si(111) and Ag/p-Si(100) Schottky barrier junctions, for non zero Ag ions acceleration voltage U▫$_a$▫> 0V, have been investigated. The effective Schottky barrier height (SBH) is observed to decrease if Ag i...

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Main Authors: Cvikl, Bruno. (Author), Korošak, Dean. (Author), Horváth, Zs.J. (Author)
Format: Book Chapter
Jezik:English
Teme:
fizika > vakuumska tehnika > tanke plasti > nanos > curek ioniziranih skupkov > ICB
physics > vacuum techniques > deposition > thin layers > ionised cluster beam > ICB
Sorodne knjige/članki:Vsebovano v: Vacuum
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!

Vzdrževanje sistema

Trenutno vzdržujemo knjižnični informacijski sistem.

Informacije o zalogi so trenutno nedostopne. Opravičujemo se za nevšečnosti in vas prosimo da nas ponovno kontaktirate:

it.ukm@um.si

Podobne knjige/članki